科技新報比 High NA EUV 更強！ASML 下一代 Hyper NA EUV 有望 10 年內問世
作者 蘇子芸
文章摘要
科技新報 · 文章頁摘要半導體微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）持續推進下一代極紫外光（EUV）技術。據外電報導，ASML 與光學合作夥伴蔡司（Carl Zeiss）工程師共同發表研究論文，揭露新一代 Hyper NA EUV 微影技術，有望在未來約 10 年內準備就緒，並將最小圖案特徵尺寸縮小至 5 奈米，較現有 High...
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半導體微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）持續推進下一代極紫外光（EUV）技術。據外電報導，ASML 與光學合作夥伴蔡司（Carl Zeiss）工程師共同發表研究論文，揭露新一代 Hyper NA EUV 微影技術，有望在未來約 10 年內準備就緒，並將最小圖案特徵尺寸縮小至 5 奈米，較現有 High...
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