最強曝光機已有接班人？艾司摩爾攜蔡司揭Hyper NA藍圖 估十年後就緒

ASML與蔡司論文稱，接替High NA EUV的Hyper NA約10年後可就緒，可印製更小晶片電路。 論文指Hyper NA可印製最小5奈米特徵，現有光源可沿用，蔡司鏡面精度已足夠支援。 英特爾已用High NA量產，三星與SK海力士擬2028年跟進，台積電規劃2030年採用。