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半導體材料陷物理瓶頸 國輻中心發現新材料登國際期刊

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半導體材料陷物理瓶頸 國輻中心發現新材料登國際期刊(新聞配圖)
配圖來源:聯合新聞網

半導體製程從五奈米邁向三奈米,材料陷物理瓶頸,亟待技術升級。國家同步輻射研究中心研究員魏德新與台師大和德國團隊合作,花兩......