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國輻中心發現新材料 有望成為半導體潛力新星

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國輻中心發現新材料 有望成為半導體潛力新星(新聞配圖)
配圖來源:聯合新聞網

國輻中心主導的國際研究團隊對「鈷/二硫化鉬異質結構」進行特徵研究分析,發現這項新材料組合可望帶領半導體突破物理極限,成為取代矽等傳統半導體材料的潛力新星。...