科技新報

日韓團隊提突破性 AI 記憶體設計，DRAM「側向立起」破解 HBM 散熱與頻寬瓶頸

署名 TechNews 編輯台

韓國與日本研究團隊近日提出兩種全新的記憶體整合構想，試圖在不讓高頻寬記憶體（HBM）堆疊持續升高的情況下，提升 […]...

https://technews.tw/2026/07/13/researchers-turn-hbm-on-its-side-to-tackle-ai-memorys-heat-wall/