鉅亨網HBM迎重大突破？日韓同步提出「直立式DRAM」新架構
機構署名 鉅亨網新聞中心
日韓研究團隊在 IEEE VLSI 研討會同步發表新一代 HBM 架構 V-Die 與 MOSAIC，透過直立式 DRAM 設計提升散熱、容量與頻寬，可望改善 AI 晶片記憶體瓶頸。另一方面，中國 DRAM 大廠長鑫科技敲定科創板 IPO，募資約 2...
日韓研究團隊在 IEEE VLSI 研討會同步發表新一代 HBM 架構 V-Die 與 MOSAIC，透過直立式 DRAM 設計提升散熱、容量與頻寬，可望改善 AI 晶片記憶體瓶頸。另一方面，中國 DRAM 大廠長鑫科技敲定科創板 IPO，募資約 2...