科林研發乾式光阻技術 實現28奈米間距高解析圖案化

Lam Research 科林研發（那斯達克股票代號：LRCX）宣佈，其創新的乾式光阻（dry resist）技術可直接印刷 28 奈米間距之後段（BEOL）邏輯製程，適用於 2nm 及以下先進製程，現已獲得在奈米電子與數位技術領域中，極具領導地位的研究與創新中心 imec 所認證。乾式光阻是科林研...