鉅亨網EUV光源功率可提升至千瓦！艾司摩爾：2030年每小時晶圓產量可望提升50%
署名 鉅亨網編譯陳韋廷
《路透社》周一 (23 日) 獨家報導指出，艾司摩爾最新表示，已找到可大幅提升關鍵晶片製造機器光源功率的方法，進而能在 2030 年前將晶片產量提高多達 50%。 這家半導體設備製造龍頭的研究人員指出，透過提升功率，可將光刻機極紫外光源的功率提升至 1000 瓦，預計到 2030 年極紫外光 (E...
《路透社》周一 (23 日) 獨家報導指出，艾司摩爾最新表示，已找到可大幅提升關鍵晶片製造機器光源功率的方法，進而能在 2030 年前將晶片產量提高多達 50%。 這家半導體設備製造龍頭的研究人員指出，透過提升功率，可將光刻機極紫外光源的功率提升至 1000 瓦，預計到 2030 年極紫外光 (E...