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台積電擬跨足記憶體?業界看3點喊誤會: 科技網站亂傳「應罰張忠謀自傳讀一百次」

作者 尹慧中全文約 1,305 字

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近期又有科技網站亂傳台積電(2330)有意跨足記憶體,對於該議題,業界分別指出,完全是誤會,從3大關鍵來看,應該罰亂傳消息的人把張忠謀自傳讀一百次,該自傳對記憶體市場已有明確定見且是照妖鏡,就算台積電近年因應客戶需求來協助HBM4底部的 Base Die操刀或是後續因應客戶要求3D DRAM的底層Controller/Logic 或是最擅長的 3DFabric / SoIC 混合鍵合(Hybrid Bonding)先進封裝,皆並非所謂跨入記憶體。

台積電擬跨足記憶體?業界看3點喊誤會: 科技網站亂傳「應罰張忠謀自傳讀一百次」(新聞配圖)
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本文共1243字 近期又有科技網站亂傳台積電(2330)有意跨足記憶體,對於該議題,業界分別指出,完全是誤會,從3大關鍵來看,應該罰亂傳消息的人把張忠謀自傳讀一百次,該自傳對記憶體市場已有明確定見且是照妖鏡,就算台積電近年因應客戶需求來協助HBM4底部的 Base Die操刀或是後續因應客戶要求3D...