聯合新聞網三星加速追趕台積 德州廠搶下超微、輝達晶片大單
作者 尹慧中全文約 521 字
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聯合新聞網 · 文章頁摘要外媒報導，三星旗下位於美國德州泰勒市的第二座晶圓廠，將為超微與輝達的高頻寬記憶體（HBM）晶片生產基礎晶粒（base die）。外界解讀，此為三星在美國廠區急追台積電，針對高階AI晶片與次世代HBM基礎晶片重要大單突破，預期2030年量產，叫陣台積。
外媒報導，三星旗下位於美國德州泰勒市的第二座晶圓廠，將為超微與輝達的高頻寬記憶體（HBM）晶片生產基礎晶粒（base die）。外界解讀，此為三星在美國廠區急追台積電（2330），針對高階AI晶片與次世代HBM基礎晶片重要大單突破，預期2030年量產，叫陣台積。...