散戶力拱記憶體、大戶卻下車！ 南亞科、華邦電、旺宏反攻 中國DRAM兩年冒出3陣營

編按：本文首刊於2026年10月21日，相關行情以當時為主，旨在投資觀念與趨勢分享。 文／玩股華安 長鑫4F²引爆記憶體股賣壓，真正威脅是中國擴產速度。回顧太陽能、面板、LED擴產史，並留意記憶體股籌碼鬆動。 長鑫存儲10月上旬公布4F² DRAM架構進展，預計年底前推出採用此架構的伺服器DDR5 RDIMM。4F²以垂直環繞閘極(VSG)電晶體，將記憶體單元面積較主流6F²縮小約三分之一，消息一出，韓、台、美記憶體股同步重挫。 不過多家機構對4F²的量產時程持保留態度。晨星分析師認為，從長鑫發表4F²產品到達成具商業價值的良率量產，仍有很長的時間落差；Rosenblatt證券更估算，長鑫若以約17奈米製程生產4F²單元，單元面積反而大於對手以約12奈米製程生產的6F²單元。高盛則指出，長鑫在技術上仍落後韓廠約兩到三個世代，EUV等設備受出口管制，差距短期內難以縮小，HBM的追趕難度更高。三星、SK海力士與美光也都尚未將4F²商業化。 長鑫股價反映了市場態度：發表新技術後不漲反跌，自年內高點回落逾三成。市場擔心的不是4F²，而是中國的擴產速度。筆電品牌股的走勢也反映同樣的預期，市場