商傳媒長鑫儲存4F²技術領跑業界 中國記憶體晶片告別追趕局面
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商傳媒 · 文章頁摘要台灣讀者常關注的「中國記憶體晶片產業」，其龍頭長鑫儲存日前宣布，其第六代動態隨機存取記憶體（DRAM）製程平台已完成工程樣本驗證，並在4F²全新架構上取得突破。此進展讓長鑫儲存有望成為全球首家推出此類產品的企業，象徵中國晶片業已從昔日的追趕者，轉變為全球半導體競爭格局中的創新引領者。
台灣讀者常關注的「中國記憶體晶片產業」，其龍頭長鑫儲存日前宣布，其第六代動態隨機存取記憶體（DRAM）製程平台已完成工程樣本驗證，並在4F²全新架構上取得突破。此進展讓長鑫儲存有望成為全球首家推出此類產品的企業，象徵中國晶片業已從昔日的追趕者，轉變為全球半導體競爭格局中的創新引領者。...