長鑫存儲正面回應美光質疑,指第六代 4F² DRAM 工程樣品年底前送樣
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文章摘要
科技新報 · 文章頁摘要針對美光(Micron)先前質疑 4F² 架構缺乏實質密度效益的說法,中國記憶體晶片大廠長鑫存儲(CXMT)於日前的投資者關係記錄中證實,其第六代 DRAM 技術平台基於 4F² 架構開發,且已順利通過工程樣品驗證,首款產品預計於2026年年底前向客戶送樣,展現其在下一代記憶體技術路線上的布局與信心...

針對美光(Micron)先前質疑 4F² 架構缺乏實質密度效益的說法,中國記憶體晶片大廠長鑫存儲(CXMT)於日前的投資者關係記錄中證實,其第六代 DRAM 技術平台基於 4F² 架構開發,且已順利通過工程樣品驗證,首款產品預計於2026年年底前向客戶送樣,展現其在下一代記憶體技術路線上的布局與信心...