鉅亨網英飛凌砸11億歐元打造全球首座12吋GaN量產基地 2027年底投產
作者 許家華全文約 2,126 字
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鉅亨網 · 文章頁摘要英飛凌將在奧地利建全球首座300毫米GaN量產基地，至2034年投資11億歐元，預計2027年底投產。歐盟批准3.19億歐元補助，協助升級既有廠區。新產線鎖定AI資料中心、電動車等需求，300毫米晶圓有助降低成本、提升效率。英飛凌2025年GaN市占率約16%，排名全球第二。
德國功率半導體大廠英飛凌(InfineonTechnologies)(IFNNY-US)10月27日宣布，將在奧地利菲拉赫(Villach)廠區打造全球首座採用300毫米(12吋)晶圓、用於氮化鎵(GaN)功率半導體大規模生產的製造基地，計畫至2034年累計投入約11億歐元，約合12.3億美元。...