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路透:長鑫將生產HBM3E 良率僅20%仍硬撐 凸顯中國AI記憶體短缺

作者 葉亭均全文約 1,205 字

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路透引述兩名知情人士說法報導,中國記憶體製造商長鑫存儲計劃開始生產先進高頻寬記憶體HBM3E,儘管良率可能低達20%。

路透:長鑫將生產HBM3E 良率僅20%仍硬撐 凸顯中國AI記憶體短缺(新聞配圖)
配圖來源:世界新聞網

路透指出,長鑫儲存即使HBM3E良率僅20%至30%仍將量產,反映中國在美國管制下急缺AI記憶體,國產替代壓力沉重。 路透引述兩名知情人士說法報導,中國記憶體製造商長鑫存儲計劃開始生產先進高頻寬記憶體HBM3E,儘管良率可能低達20%。 此一決定凸顯中國面臨AI記憶體嚴重短缺的困境。...