鉅亨網美光下一代AI記憶體突破面臨散熱難題！vHBM瞄準2028年量產、頻寬升級成關鍵
作者 莊閔棻全文約 1,220 字
文章摘要
鉅亨網 · 文章頁摘要美光開發vHBM，將DRAM垂直堆疊於處理器上方，目標提升AI推論頻寬與容量。 美光規劃vHBM 2028年量產、2030年前推三代；vEIM第一代目標頻寬2TB/s，能耗低於1皮焦耳。 vHBM雖有助AI記憶體效能，但散熱成主要難題，分析師估將與傳統HBM並行。
美光科技(MU-US)正開發新一代垂直高頻寬記憶體（vHBM），計畫將DRAM直接堆疊在處理器上方，縮短記憶體與運算單元之間的資料傳輸距離，進一步提升頻寬，以滿足人工智慧（AI）推論工作負載對效能與容量日益增加的需求。不過，這項架構也帶來新的散熱難題，可能影響未來的導入規模。...