長江存儲重大突破！傳開發9600MT/s LPDDR5X　導入4F²架構挑戰三星、美光

長江存儲傳開發9600MT/s LPDDR5X，規劃在武漢Fab 3量產，若成真將跨足高效能DRAM市場。 其DRAM研發採VCT與4F²架構，目標提升密度與傳輸效能。 4F²可望縮小單元面積、降低成本，但可行性仍有爭議；長江存儲若延伸Xtacking與鍵合技術，將加劇與三星、美光競爭。