輝達實質收購Groq後首度出手!下一代AI晶片架構大轉向 棄SRAM改採3D堆疊DRAM
作者 陳韋廷
文章摘要
鉅亨網 · 文章頁摘要Groq評估在下一代晶片導入3D堆疊DRAM封裝3DS,擺脫SRAM容量瓶頸。 3DS以TSV在DRAM晶片內垂直互連,目標提升單位面積顯存密度。 相較HBM重視速率,3DS偏重容量擴張,利於超大型AI模型推論。

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Groq評估在下一代晶片導入3D堆疊DRAM封裝3DS,擺脫SRAM容量瓶頸。 3DS以TSV在DRAM晶片內垂直互連,目標提升單位面積顯存密度。 相較HBM重視速率,3DS偏重容量擴張,利於超大型AI模型推論。

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