三星與SK海力士升級中國廠 產高階儲存晶片迎戰中企
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民視新聞網 · 文章頁摘要Reuters 路透社報導南韓半導體巨頭三星電子與SK海力士正著手升級位於中國的工廠,計畫生產超過200層的先進快閃記憶體晶片,旨在抵禦中國競爭對手長江存儲的強力挑戰,並滿足全球蓬勃發展的人工智慧需求。

Reuters 路透社報導 知情人士透露,三星電子(Samsung Electronics)內部推行代號為「Monami」的計畫,預計將產量占其全球四成的西安廠轉型生產286層V9 NAND快閃記憶體晶片,目標在2027年底將月產能提升至4萬片晶圓。...