SiC搶攻AI能源商機 漢磊提供客戶高良率、高品質出貨技術

漢磊發表Gen5 SiC DMOS平台，單元pitch微縮至3.3μm，導通損耗降12%、效能升約15%。
平台延續平面型架構，1200V產品晶圓測試率已穩定突破90%以上，兼顧可靠度與量產成本優勢。...