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陸DRAM產能將激增31%!韓媒警告超級周期「只剩2至3年」 馬斯克把期限再往前推一年

作者 陳韋廷全文約 758 字

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馬斯克稱中國到2028年將生產海量記憶體晶片,市場憂記憶體超級周期提前見頂。 長鑫存儲月產能約20至25萬片,2028年可望達50萬片、全球市占17%,並擴產DRAM與HBM3E。 瑞銀估DRAM緊俏延至2028上半年;但若AI資本支出放緩,中低階DRAM定價權恐鬆動。

陸DRAM產能將激增31%!韓媒警告超級周期「只剩2至3年」 馬斯克把期限再往前推一年(新聞配圖)
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特斯拉執行長馬斯克上周四(15日)稱中國到2028年將生產海量記憶體晶片,引發半導體界對記憶體「超級周期」可能提前見頂的討論。市場關注長鑫存儲產能爬坡,會否在2028年與AI資本支出放緩疊加,反手壓垮DRAM價格。...