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台師大製出特殊堆疊結構雙層二硫化鉬 突破光電應用限制

作者 陳至中
台師大製出特殊堆疊結構雙層二硫化鉬 突破光電應用限制(新聞配圖)
配圖來源:中央社

台灣師範大學研究團隊,透過原子級堆疊工程,成功製出具有特殊「1H堆疊」結構的雙層二硫化鉬,突破雙層二維半導體長期面臨的光電應用限制,登上國際頂級期刊Nature(自然)。...