簡直是災難!英特爾前高管再轟HBM:位元密度低的「熱三明治」
作者 陳韋廷
文章摘要
鉅亨網 · 文章頁摘要季辛格再批HBM「醜陋、太差勁」,指位元密度低、受超寬匯流排與晶片邊緣面積限制,HBM4匯流排升至2048位。 他稱HBM堆疊有「熱三明治」問題,功耗逾約30瓦後散熱惡化,DRAM怕高溫也不利AI推理與訓練。 HBM製程耗晶圓、擴產排擠DDR/LPDDR;南亞科估DRAM缺貨至2028年初。

原站閱讀
全文請至原站閱讀。
季辛格再批HBM「醜陋、太差勁」,指位元密度低、受超寬匯流排與晶片邊緣面積限制,HBM4匯流排升至2048位。 他稱HBM堆疊有「熱三明治」問題,功耗逾約30瓦後散熱惡化,DRAM怕高溫也不利AI推理與訓練。 HBM製程耗晶圓、擴產排擠DDR/LPDDR;南亞科估DRAM缺貨至2028年初。

全文請至原站閱讀。