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簡直是災難!英特爾前高管再轟HBM:位元密度低的「熱三明治」

作者 陳韋廷

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季辛格再批HBM「醜陋、太差勁」,指位元密度低、受超寬匯流排與晶片邊緣面積限制,HBM4匯流排升至2048位。 他稱HBM堆疊有「熱三明治」問題,功耗逾約30瓦後散熱惡化,DRAM怕高溫也不利AI推理與訓練。 HBM製程耗晶圓、擴產排擠DDR/LPDDR;南亞科估DRAM缺貨至2028年初。

簡直是災難!英特爾前高管再轟HBM:位元密度低的「熱三明治」(新聞配圖)
配圖來源:鉅亨網

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