鉅亨網長鑫新技術打崩美光、SanDisk？瑞穗列七大理由勸別急著賣
作者 林羿君全文約 1,187 字
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鉅亨網 · 文章頁摘要長鑫儲存稱年底前推4F² DDR5 RDIMM，記憶單元面積較6F²縮小約三分之一，目標2026年底前推出。 瑞穗TMT專家指，長鑫進展未改變美光、SanDisk、SK海力士與三星投資人的短期判斷。 長鑫未證明量產、良率、客戶認證與成本競爭力，且產品屬傳統伺服器DRAM，對AI基建影響有限。
中國長鑫儲存(688825-CN)宣稱，將於年底前推出採用4F²記憶單元設計的DDR5RDIMM，記憶單元面積縮小約三分之一。不過，瑞穗科技、媒體與電信（TMT）產業專家JordanKlein表示，這項消息並未改變美光科技(MU-US)、SanDisk(SNDKV-US)、SK海力士(000660K...