成大跨校團隊研究登《Nature》原子堆疊讓雙層二維半導體重新「發光」 | LIFE生活網

• 成功大學跨校研究團隊利用化學氣相沉積技術，精準控制二硫化鉬(MoS₂)雙層材料的原子堆疊方式，製備出特殊的1H堆疊結構。 • 此突破性研究成果刊載於國際頂尖學術期刊《自然(Nature）》，為後摩爾時代的半導體材料開發帶來新方向。 • 新製備的1H堆疊雙層MoS₂克服了傳統雙層MoS₂的間接能隙限制，重新展現直接能隙與優異的谷極化功能。 • 研究團隊整合多項先進分析技術，從原子結構到光學性質進行交叉驗證，證實了新結構的物理特性。 • 此項技術未來有望應用於超薄發光元件、光偵測器、量子功能元件等領域，展現臺灣在二維半導體材料研究上的實力。