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【有片】中國天津大學研發石墨稀半導體 號稱效能比矽強10倍

作者 洪毅
【有片】中國天津大學研發石墨稀半導體 號稱效能比矽強10倍(新聞配圖)
配圖來源:上報

中國天津大學研究團隊近日表示,在石墨烯材料上的「能帶間隙」的問題已有初步突破,成功地在石墨烯中引入了帶隙,創造一種新型穩定的半導體石墨烯,號稱效能是矽的10倍,被視為開啟石墨烯晶片製造領域大門的重要里程......