聯合新聞網

應材新技術 助攻碳化矽晶圓廠提升8吋晶圓良率

未署名
應材新技術 助攻碳化矽晶圓廠提升8吋晶圓良率(新聞配圖)
配圖來源:聯合新聞網

美商應材今日宣布,該公司推出新的200亳米(8吋)化學機械研磨(CMP)系統,可精確移除晶圓上的碳化矽(SiC)材料,最......