美國陸軍押注超高壓 SiC，納微半導體開發 10 kV IGBT

美國政府加速布局超高壓碳化矽（SiC）功率半導體。納微半導體宣布，獲美國陸軍選中參與 ALATTIS 計畫，將開發下一代 10 kV SiC 絕緣閘雙極電晶體（IGBT）及相關 PiN 二極體技術，並建立美國本土製造流程，鎖定國防及關鍵基礎設施的高功率應用。...