美國陸軍押注超高壓 SiC，納微半導體開發 10 kV IGBT

美國政府加速布局超高壓碳化矽（SiC）功率半導體。納微半導體宣布，獲美國陸軍選中參與 ALATTIS 計畫，將開發下一代 10 kV SiC 絕緣閘雙極電晶體（IGBT）及相關 PiN 二極體技術，並建立美國本土製造流程，鎖定國防及關鍵基礎設施的高功率應用。

此次 ALATTIS 計畫由美國陸軍研究實驗室（ARL）支持，隸屬於美國陸軍作戰能力發展司令部（DEVCOM）。計畫將透過設計、製造及測試，開發並驗證超高壓（≥10 kV）SiC 功率元件的美國本土製造流程，其中重點之一，就是建立目前美國國內尚未具備的 10 kV SiC IGBT 製造流程。

ALATTIS 同時獲得 Joint Experimentation and Technology Accelerator（JETX）支持，將進一步推進 10 kV SiC IGBT 與 PiN 二極體技術，主要瞄準軍事關鍵系統及高功率基礎設施應用，進一步將 SiC 功率元件推向 10 kV 超高壓領域。

納微半導體目前旗下 GeneSiC SiC 功率半導體產品電壓範圍涵蓋 650 V 至 6.5 kV，並以溝槽輔助平面（Trench-Assisted Planar，TAP）MOSFET 架構為核心。透過此次計畫，公司將進一步把超高壓產品布局由 SiC MOSFET 延伸至 10 kV SiC IGBT，並結合 PiN 二極體技術。

事實上，納微半導體已布局超高壓 SiC 技術多年，過去曾於 2010 年開發 6.5 kV SiC 晶閘管（thyristor），2012 年推出 10～15 kV SiC PiN 二極體，並於 2021 年商用化推出 6.5 kV SiC MOSFET。

納微半導體技術長 Siddarth Sundaresan 表示，此次 ALATTIS 計畫將讓公司在既有 SiC MOSFET 技術之外，進一步開發採用專利 TAP 架構的下一代 10 kV SiC IGBT，並整合先進 PiN 二極體技術，持續擴大超高壓 SiC 功率半導體布局。

（首圖來源：Navitas）

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