科技新報

中國記憶體加速追趕！長鑫 DRAM 落後 2 年，長江 NAND 竟只差 1 年

作者 林妤柔

韓國半導體產業協會（KSIA）近日量化中國在半導體技術上追趕西方的驚人速度，指出 NAND 巨頭長江存儲與 D […]...

https://technews.tw/2026/09/16/china-narrows-hbm-nand-and-dram-gap-with-korea/