科技新報

SK 海力士今年底量產 375 層 NAND，首導入「鉬材料」提升堆疊密度

作者 林妤柔

SK 海力士計劃今年底開始量產下一代 375 層 3D NAND 快閃記憶體，並首度在高層數 NAND 製程中 […]...

https://technews.tw/2026/06/11/sk-hynix-mass-produce-375-layer-nand/