← 科技新報報導科技新報次世代 DRAM 架構戰開打!三星擬導入 GAAFET、SK 海力士走垂直堆疊作者 林妤柔5/8 09:42#AI 人工智慧1 家 · 132 篇#半導體23 家 · 286 篇#記憶體15 家 · 155 篇#SK 海力士1 家 · 4 篇#三星21 家 · 82 篇根據業界消息,三星與 SK 海力士正採用兩種不同策略來製造下一代 DRAM 記憶體晶片,三星考慮將環繞閘極電晶 […]...https://technews.tw/2026/05/08/samsung-sk-hynix-ai-memory/