科技新報

次世代 DRAM 架構戰開打!三星擬導入 GAAFET、SK 海力士走垂直堆疊

作者 林妤柔

根據業界消息,三星與 SK 海力士正採用兩種不同策略來製造下一代 DRAM 記憶體晶片,三星考慮將環繞閘極電晶 […]...