科技新報

三星 HBM4E Base Die 完成前段設計,後段實體設計啟動

作者 蘇子芸

三星電子第七代高頻寬記憶體 HBM4E 開發進程持續推進。根據《The Elec》報導,三星 HBM4E 已完 […]...