科技新報

韓媒:三星來了!1c DRAM 良率突破 50%,HBM4 下半年量產

作者 蘇子芸

三星電子傳出已成功突破 10 奈米級第六代(1c)DRAM 製程的良率門檻,達到超過 50%,計劃導入第六代 […]...