科技新報

為降 EUV 製程成本,SK 海力士目標 10 奈米以下採 3D DRAM 技術

作者 林妤柔

SK 海力士日前宣布,計畫開發4F2(方形)DRAM,與競爭對手三星十分相似。SK 海力士研究員 Seo Ja […]...