三星希望透過新出現的鐵電材料，實現超過 1,000 層 NAND

作者林妤柔2024/5/13 11:47

三星電子計劃實現「PB 級」記憶體目標，該公司高層過去曾預期，V-NAND 在 2030 年將疊加到 1,00 […]...