← 科技新報報導科技新報三星計劃 2 奈米製程用上背後供電技術,藉此領先台積電技術作者 Atkinson2022/10/18 12:00#IC 設計1 家 · 12 篇#Samsung5 家 · 11 篇#半導體26 家 · 342 篇#封裝測試#晶圓4 家 · 25 篇#晶片28 家 · 186 篇#BSPDN#FinFET#IC設計6 家 · 12 篇#MBCFET#三星13 家 · 47 篇#台積電27 家 · 461 篇#晶圓製造1 家 · 3 篇#背後供電在與台積電競爭的路途上,南韓三星大絕盡出。其中,在 3 奈米製程技術上導入了全新的 GAAFET 全環繞柵極電 […]...https://technews.tw/2022/10/18/samsung-bspdn/