← 科技新報報導科技新報IBM 與三星合作發表 VTFET 晶片設計技術,預計突破 1 奈米製程瓶頸作者 Atkinson2021/12/13 16:40#IC 設計2 家 · 17 篇#Samsung4 家 · 6 篇#晶圓8 家 · 37 篇#晶片18 家 · 105 篇#IBM5 家 · 6 篇#VTFET#三星18 家 · 57 篇#台積電30 家 · 497 篇#垂直傳輸場效應電晶體#埃米#英特爾26 家 · 150 篇外媒報導,美國加州舊金山舉辦的 IEDM 2021 藍色巨人 IBM 與南韓三星共同發表「垂直傳輸場效應電晶體 […]...https://technews.tw/2021/12/13/ibm-and-samsung-collaborate-to-release-vtfet-chip-design-technology/