科技新報

DRAM 新發展！三星開發 12 層 3D 封裝，將推 24GB HBM

署名 MoneyDJ

三星電子宣布，開發出業界首見的 12 層 3D 矽穿孔技術（Through-Silicon Via，簡稱 TS […]...

http://technews.tw/2019/10/09/dram-samsung-through-silicon-via/