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三星電子 1c nm DRAM 記憶體良率達 60%！突破量產損益平衡點，HBM4 獲利可期 | T客邦

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三星電子 1c nm DRAM 記憶體良率達 60%！突破量產損益平衡點，HBM4 獲利可期 | T客邦（新聞配圖）
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