T客邦時隔半年容量倍增，WD 發表 512Gbit 容量 64 層堆疊 3D NAND
作者 bisheng
去年 7 月 Toshiba 與合作夥伴 WD，揭露快閃記憶體最新研發進程，表示將開始投入 64 層堆疊 3D NAND 生產，單一晶圓容量可達 256Gbit。此刻由 WD 率先發聲，指出已經開始試產同為 64 層堆疊結構，但是容量倍增至 512Gbit 的 3D NAND，預計下半年可以正式投產...
去年 7 月 Toshiba 與合作夥伴 WD，揭露快閃記憶體最新研發進程，表示將開始投入 64 層堆疊 3D NAND 生產，單一晶圓容量可達 256Gbit。此刻由 WD 率先發聲，指出已經開始試產同為 64 層堆疊結構，但是容量倍增至 512Gbit 的 3D NAND，預計下半年可以正式投產...