T客邦混合記憶體 NVDIMM 現身，用以填補 DRAM 與 NAND Flash 不足
署名 TechNews科技新報
現行的電腦記憶體，存在著巨大的鴻溝。DRAM 讀寫資料的延遲，僅有數奈秒。而 NAND Flash 的延遲，卻有數微秒，差距達 1,000～10,000 倍左右。為了弭平兩者間的差距，新的技術，NVDIMM 發表！藉由結合 DRAM 以及 NAND Flash 的優點，填補記憶體科技的鴻溝。...
現行的電腦記憶體，存在著巨大的鴻溝。DRAM 讀寫資料的延遲，僅有數奈秒。而 NAND Flash 的延遲，卻有數微秒，差距達 1,000～10,000 倍左右。為了弭平兩者間的差距，新的技術，NVDIMM 發表！藉由結合 DRAM 以及 NAND Flash 的優點，填補記憶體科技的鴻溝。...