NOWnews今日新聞聯電推40奈米SST嵌入式記憶體 東芝評估適用性
未署名
聯電今（21）日宣布推出40奈米結合SiliconStorageTechnology（SST）嵌入式SuperFlash®非揮發性記憶體的製程平台。新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶，較量產的55奈米單元尺寸減少20%以上，並使整體記憶體面積縮小了20-3...
聯電今（21）日宣布推出40奈米結合SiliconStorageTechnology（SST）嵌入式SuperFlash®非揮發性記憶體的製程平台。新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶，較量產的55奈米單元尺寸減少20%以上，並使整體記憶體面積縮小了20-3...