台積電High NA EUV邁大步!攜ASML推12吋光罩、擬2030年導入量產
未署名

半導體先進製程競賽持續升級。台積電(2330)與全球曝光機龍頭 ASML今(8)日宣布,雙方發起產業合作,共同推動極紫外光(EUV)微影技術從現行 6 吋光罩升級至更大的 12 吋光罩,目標 2031 年前建立 12 吋光罩試產線,並於 2033 年前實現微影系統全面就緒,支援先進製程量產。值得注意...

半導體先進製程競賽持續升級。台積電(2330)與全球曝光機龍頭 ASML今(8)日宣布,雙方發起產業合作,共同推動極紫外光(EUV)微影技術從現行 6 吋光罩升級至更大的 12 吋光罩,目標 2031 年前建立 12 吋光罩試產線,並於 2033 年前實現微影系統全面就緒,支援先進製程量產。值得注意...