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三星宣布量產236層NAND快閃記憶體

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三星宣布量產236層NAND快閃記憶體(新聞配圖)
配圖來源:自由時報

〔財經頻道/綜合報導〕南韓半導體大廠三星電子(Samsung)週一(7日)宣布第8代3D NAND Flash快閃記憶體晶片已進入量產,其堆疊層數增加到236層,儲存容量達1Tb(128GB),...