韓媒：三星預計年內發布236層NAND快閃記憶體

〔財經頻道／綜合報導〕韓媒報導，繼SK海力士（SK Hynix）、美光（MicronTechnology）相繼宣布成功開發出其最先進238層、 232層快閃記憶體晶片後，三星電子（Samsung...