AI散熱需求催油門 12吋SiC發展加速 單晶、多晶、鍵合三路競逐

魏志豪
AI散熱需求催油門 12吋SiC發展加速 單晶、多晶、鍵合三路競逐(新聞配圖)
配圖來源:鉅亨網

AI與HPC晶片功耗升高,帶動SiC切入AI先進封裝散熱,12吋SiC路線競爭升溫。
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