自由時報聯電0.18微米BCD製程進入新里程碑
未署名
晶圓代工廠聯電今宣布0.18微米雙極-互補-擴散金氧半導體Bipolar CMOS DMOS （BCD） 製程技術平台已通過業界最嚴格的AEC-Q100 Grade-0 車用電子矽晶片驗證。聯電表示，述製程方案包含符合車用標準的FDK及矽智財解決方案，可用於車用電子的應用晶片如電源管理晶片進行量產。...
晶圓代工廠聯電今宣布0.18微米雙極-互補-擴散金氧半導體Bipolar CMOS DMOS （BCD） 製程技術平台已通過業界最嚴格的AEC-Q100 Grade-0 車用電子矽晶片驗證。聯電表示，述製程方案包含符合車用標準的FDK及矽智財解決方案，可用於車用電子的應用晶片如電源管理晶片進行量產。...