← INSIDE報導INSIDERuO₂ 薄膜揭示「交替磁性」新證據,為次世代記憶體材料開啟新想像署名 INSIDE 硬塞的網路趨勢觀察2025/12/27 13:11#科學5 家 · 9 篇#半導體20 家 · 148 篇#記憶體16 家 · 75 篇#材料科學#交替磁性排列一致的 RuO₂ 薄膜揭示了交替磁性(altermagnetism),這是一種罕見的磁性狀態,可能重塑高速資料儲存技術。...https://www.inside.com.tw/article/40389-new-magnetic-state-observed-data-storage