國研院研發新型MRAM記憶體 為台灣半導體鋪新路

在低耗能、速度快、面積小的磁性記憶體（MRAM）中，主要有「自旋轉移力矩式」（STT）、「自旋軌道力矩式」（SOT）等兩種型態，前者技術已相當成熟，而國研院半導體中心日前已成功開發出新型態的後者，是繼世界第一大半導體公司英特爾（Intel）後，全球第二的研究團隊。...